• <video id="gegkw"><sub id="gegkw"></sub></video>
    <blockquote id="gegkw"></blockquote>
  • <blockquote id="gegkw"><track id="gegkw"><code id="gegkw"></code></track></blockquote>

    三極管的工作原理

    2023-12-05

    1、N型半導體:又稱為電子型半導體。在純凈的硅晶體中通過特殊工藝摻入少量的五價元素(如磷、砷、銻等)而形成,其內部自由電子濃度遠大于空穴濃度。所以,N半導體內部形成帶負電的多數載流子——自由電子,而少數載流子是空穴。N型半導體主要靠自由電子導電。由于自由電子主要由所摻入的雜質提供,所以摻入的五價雜質越多,自由電子的濃度就越高,導電性能就越強。而空穴由熱激發形成,環境溫度越高,熱激發越劇烈。


    2、P型半導體又稱為空穴型半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)而形成,其內部空穴濃度遠大于自由電子濃度。所以,P型半導體內部形成帶正電的多數載流子——空穴,而少數載流子是自由電子。P型半導體主要靠空穴導電。由于空穴主要由所摻入雜質原子提供,摻入三價的雜質越多,空穴的濃度就越高,導電性能就越強。而自由電子是由熱激發形成,環境溫度越高,熱激發越激烈。


    3、PN結及特性:P型和N型半導體接觸時,在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散,電子從N型半導體向P型半導體擴散??昭ê碗娮酉嘤龆鴱秃?,載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子,卻有內建一個由N區指向P區的內電場。由于內電場是由多子建成,所以達到平衡后,內建電場將阻擋多數載流子的擴散,但不能阻止少數載流子。P區和N區的少數載流子一旦接近PN結,便在內電場的作用下漂移到對方。


    下面,講一下PN結的單向導電性。


    外加正向電壓(正偏):在外電場作用下,多子將向PN結移動,結果使空間電荷區變窄,內電場被削弱,有利于多子的擴散而不利于少子的漂移,擴散運動起主要作用。結果,P區的多子空穴將源源不斷的流向N區,而N區的多子自由電子亦不斷流向P區,這兩股載流子的流動就形成了PN結的正向電流。


    外加反向電壓(反偏):在外電場作用下,多子將背離PN結移動,結果使空間電荷區變寬,內電場被增強,有利于少子的漂移而不利于多子的擴散,漂移運動起主要作用。漂移運動產生的漂移電流的方向與正向電流相反,稱為反向電流。因少子濃度很低,反向電流遠小于正向電流。當溫度一定時,少子濃度一定,反向電流幾乎不隨外加電壓而變化,故稱為反向飽和電流。


    4、擴散和漂移:多數載流子移動時擴散,少數載流子移動時漂移。


    5、復合:電子和空穴相遇就會復合,大量的電子-空穴對復合就形成電流。


    6、空間電荷區:也稱耗盡層。在PN結中,由于自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動,使PN結中間的部位(P區和N區交界面)產生一個很薄的電荷區,它就是空間電荷區。在這個區域內,多數載流子已擴散到對方并復合掉了,或者說消耗殆盡了,因此空間電荷區又稱為耗盡層。P區一側呈現負電荷,N區一側呈現正電荷,因此空間電荷區出現了方向由N區指向P區的內電場。內電場將阻礙多子的擴散,而少子一旦靠近PN結,便在內電場的作用下漂移到對方。


    PN結正偏時,內電場減弱,有利于多子的擴散而不利于少子的漂移;PN結反偏時,擴散運動使空間電荷區加寬,內電場增強,有利于少子的漂移而不利于多子的擴散。


    7、內電場:PN結附近空間電荷區中,方向由N區指向P區的內電場。內電場對多數載流子起隔離作用,而對少數載流子起導通作用。


    8、載流子:可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。金屬中為電子,半導體中有兩種載流子即電子和空穴。


    9、少數載流子:P型半導體地少數載流子是自由電子,N型半導體中是空穴。


    10、二極管:單向導電性。正偏多數載流子可以通過,反偏少數載流子可以通過。反偏時P型半導體和N型半導體不能提供源源不斷的少數載流子,所以反偏近似無電流。


    在線客服
    欧美成人在线一区二区三区_亚洲国产中文原创AV在线播放_中文字幕久久精品无码不卡_免费视频网站无遮挡无码
  • <video id="gegkw"><sub id="gegkw"></sub></video>
    <blockquote id="gegkw"></blockquote>
  • <blockquote id="gegkw"><track id="gegkw"><code id="gegkw"></code></track></blockquote>