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    魯晶SGT MOSFET在電動工具 、鋰電保護板推薦應用

    2023-07-19
    SGT MOSFET優勢介紹


    MOSFET大致分類:平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領域;SJ-(超結)MOSFET,主要在高壓領域應用。


    SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應,在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡,將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布,在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度,可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量,所以SGT在雪崩時可以做得更好,更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源,電機控制,動力電池系統等應用領域中,SGT MOSFET配合先進封裝,非常有助于提高系統的效能和功率密度。

    提升SGT技術優勢


    功率密度

    SGT結構相對傳統的Trench結構,溝槽挖掘深度深3-5倍,可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓,顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻(Specific Resistance),例如相同的封裝外形TO-252或TO-263封裝,采用SGT芯片技術,可以得到更低的導通電阻。


    如下圖鋰電保護控制板①處所示

    魯晶采用SGT工藝研發,在①處可放置LJM90N03T

    、LJM120N03T、LJM80N06T等魯晶MOS管


    如下圖鋰電保護控制板②處所示

    串聯結構下,可采用2302、3400等MOS型號

    01.png

    參數如下:

    VGS=10V時,RDS(ON)=2.6mΩ(典型值)

    低柵極電荷、低Crss、快速切換、額定極限dv/dt、100%雪崩測試、無鉛電鍍、符合RoHS。

    應用領域


    鋰電保護  掃地機器人  吸塵器  無線充電

    吸拖洗一體拖把  戶外儲能   移動電源  LED電源

    02.png


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